蚀刻半导体晶片有赖于严格的温度控制

挑战
作为其微加工的一部分,所有半导体晶片必须经历一个蚀刻过程,在制造过程中以化学方式从晶片表面移除层。 因为这些蚀刻腔的深度非常重要,蚀刻速率必须通过化学过程、时间和严格的温度控制进行精确控制。 我们的客户是一家半导体晶片制造商,他们推出了依靠高于正常温度的更高温调剖控制的全新蚀刻剂。 此外,此作业必须对多层结构的顶层完成,同时保留其他屏蔽层。 这家制造商必须对这个全新的温度敏感性的蚀刻化学物质进行卓越控制。

解决方案
科模热思团队评估了客户的刻蚀工艺设备和泵送系统,以确定负载特性、热特性、设备隔热状态、暴露表面积等。然后我们设计了 Kapton® 控制热剖面加热器,根据有限元分析、工艺/设备监控、优化和热子系统集成控制,在设备上的战略位置安装传感器。 根据蚀刻工艺设备特定点内的热行为,他们的控制器针对闭环传感/控制进行了更新(通过软件编程)。

优势
由于全新蚀刻工艺的温度控制提高,客户意识到不合格品的数量减少了 68%,因为温度降低会造成咬边。 此前,这个咬边显示其本身为与当前理想的各向异性剖面(直墙)相对的各向同性(斜墙)。 在水平和垂直方向上,客户现已掌握了无与伦比的湿法蚀刻能力,可通过化学方式将蚀刻腔精确研磨到 2 密耳。 预粘合到底层也会方便客户并节约成本。 这是科模热思提供全新的创新型世界级成本节约解决方案以超越客户需求的典型案例